光电效应电子吸收光子的能量hυ后，能量增加，不需要积累能量的过程。如果电子吸收的能量hυ足够大，能够克服脱离原子所需要的能量(即电离能量)I和脱离物体表面时的逸出功(或叫做功函数)W，那么电子就可以离开物体表面脱逸出来，成为光电子，这就是光电效应。...
爱因斯坦的光电效应算式在以爱因斯坦方式量化分析光电效应时使用以下算式： 光子能量= 移出一个电子所需的能量+ 被发射的电子的动能代数形式： hf=φ+Em φ=hf0 Em=(1/2)mv^2 其中h是普朗克常数，h = 6.63 ×10^-34 J·s， f是入射光子的频率， φ是功函数，从原子键结中移出一个...
英特尔45nm半导体工艺技术解析在2007年12月国际电子元件会议(IEDM)举行前约一个月，美国EE Times杂志曾提到，英特尔公司45nm工艺技术的主要特点是采用铪基高k介电材料，将氮化钛(TiN)用于PFET取代栅极，并将TiN阻挡层与一种功函数调整金属组成的合金用于NFET取代栅极。...
光电效应如果电子吸收的能量hυ足够大，能够克服脱离原子所需要的能量(即电离能量)I和脱离物体表面时的逸出功(或叫做功函数)W，那么电子就可以离开物体表面脱逸出来，成为光电子，这就是光电效应。 光电效应的分类. 光电效应分为：外光电效应和内光电效应。...
光电效应电子吸收光子的能量hυ后，能量增加，不需要积累能量的过程。如果电子吸收的能量hυ足够大，能够克服脱离原子所需要的能量(即电离能量)I和脱离物体表面时的逸出功(或叫做功函数)W，那么电子就可以离开物体表面脱逸出来，成为光电子，这就是光电效应。...
科学网-曾茂进的博客-[转载]扫描隧道显微镜原理（STM）如样品表面原子种类不同，或样品表面吸附有原子、分子时，由于不同种类的原子或分子团等具有不同的电子态密度和功函数，此时扫描隧道显微镜(STM)给出的等电子态密度轮廓不再对应于样品表面原子的起伏，而是表面原子起伏与不同原子和各自态密度组合后的...
SED和FED显示技术的比较分析（转）发射器的电流是施加电压的函数，并呈高度的非线性。图5是一个CNT发射器的IV特性例子。除了施加电场外，发射电流还取决于发射器的功函数(workfunction())和发射器形状。当功函数降低时，例如涂覆碱金属，那么在较低的电场更容易获取电子。...
光电效应如果电子吸收的能量hυ足够大，能够克服脱离原子所需要的能量(即电离能量)I和脱离物体表面时的逸出功(或叫做功函数)W，那么电子就可以离开物体表面脱逸出来，成为光电子，这就是光电效应。 光电效应的分类. 光电效应分为：外光电效应和内光电效应。...
光电效应概述如果电子吸收的能量hυ足够大，能够克服脱离原子所需要的能量(即电离能量)I和脱离物体表面时的逸出功(或叫做功函数)W，那么电子就可以离开物体表面脱逸出来，成为光电子，这就是光电效应。 [编辑本段] 爱因斯坦方程hυ=(1/2)mv^2+I+W 式中(1/2)mv^2是脱出...
SED和FED显示技术的比较分析（转） - 神州州长- 网易博客除了施加电场外，发射电流还取决于发射器的功函数(workfunction())和发射器形状。当功函数降低时，例如涂覆碱金属，那么在较低的电场更容易获取电子。当发射器的形状变得较锐利时，也更容易或取电子，因为在发射器顶部的局部电场会更高。...
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光电效应概述如果电子吸收的能量hυ足够大，能够克服脱离原子所需要的能量(即电离能量)I和脱离物体表面时的逸出功(或叫做功函数)W，那么电子就可以离开物体表面脱逸出来，成为光电子，这就是光电效应。 [编辑本段] 爱因斯坦方程hυ=(1/2)mv^2+I+W 式中(1/2)mv^2是脱出...
爱因斯坦的光电效应算式在以爱因斯坦方式量化分析光电效应时使用以下算式： 光子能量= 移出一个电子所需的能量+ 被发射的电子的动能代数形式： hf=φ+Em φ=hf0 Em=(1/2)mv^2 其中h是普朗克常数，h = 6.63 ×10^-34 J·s， f是入射光子的频率， φ是功函数，从原子键结中移出一个...
X射线在表面分析中的原理及应用如果X射线光子的能量为hν，电子在该能级上的结合能为Eb，射出固体后的动能为Ec，则它们之间的关系为： hν=Eb+Ec+Ws 式中Ws为功函数，它表示固体中的束缚电子除克服各别原子核对它的吸引外，还必须克服整个晶体对它的吸引才能逸出样品表面，即电子逸出表面...
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